řada: HEXFET MOSFET IRF5305PBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-1736
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-281
- Výrobní číslo:
- IRF5305PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
36,56 Kč
(bez DPH)
44,24 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 195 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
- Plus 213 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 36,56 Kč |
| 10 - 49 | 31,12 Kč |
| 50 - 99 | 29,15 Kč |
| 100 - 249 | 27,17 Kč |
| 250 + | 25,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-1736
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-281
- Výrobní číslo:
- IRF5305PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.54mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 8.77mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.54mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 8.77mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 31 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 110 W maximální ztrátový výkon - IRF5305PBF
Tento tranzistor MOSFET je přizpůsoben pro vysoce účinné výkonové aplikace a poskytuje flexibilitu i spolehlivost. Díky svému vylepšenému režimu provozu je vhodný pro různé systémy vyžadující řízené spínání, zejména v průmyslovém a automatizačním prostředí.
Vlastnosti a výhody
• Kapacita trvalého vypouštěcího proudu 31 A podporuje náročné aplikace
• Jmenovité napětí 55 V umožňuje spolehlivé spínání
• Nízký zapínací odpor 60 mΩ snižuje ztráty energie
• Konstrukce pouzdra TO-220AB zlepšuje tepelný výkon
• Rozsah napětí mezi bránou a zdrojem ±20 V vyhovuje různým aplikacím
• Rychlá optimalizace spínání zvyšuje celkovou účinnost systému
Aplikace
• Používá se v řídicích systémech motorů pro efektivní provoz
• Použitelné v napájecích obvodech pro stabilní výkon
• Integrované do elektronických zařízení vyžadujících efektivní spínací funkce
• Vhodné pro nasazení v systémech obnovitelné energie
Jaký je rozsah provozních teplot?
Pracuje při teplotách od -55 °C do +175 °C, takže je vhodný do extrémních podmínek.
Jak typ balíčku ovlivňuje výkon?
Pouzdro TO-220AB má nízký tepelný odpor, což zvyšuje účinnost chlazení během provozu.
Zvládne aplikace s pulzním vypouštěcím proudem?
Ano, podporuje pulzní odtokové proudy až 110 A, což zajišťuje dostatečný výkon pro přechodné požadavky.
O jaký typ tranzistoru se jedná?
Jedná se o P-kanálový Si MOSFET, optimalizovaný pro aplikace s vysokou účinností.
Je kompatibilní s automatizovanými montážními procesy?
Ano, průchozí provedení umožňuje integraci do automatizovaných systémů a desek plošných spojů.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFIZ44NPBF Typ N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF5305STRLPBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFU5305PBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení