řada: HEXFET MOSFET IRF5305STRLPBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 831-2834
- Výrobní číslo:
- IRF5305STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
311,22 Kč
(bez DPH)
376,58 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 90 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 410 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 31,122 Kč | 311,22 Kč |
| 50 - 90 | 24,601 Kč | 246,01 Kč |
| 100 - 240 | 23,02 Kč | 230,20 Kč |
| 250 - 490 | 21,489 Kč | 214,89 Kč |
| 500 + | 19,908 Kč | 199,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 831-2834
- Výrobní číslo:
- IRF5305STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 31 A, maximální ztrátový výkon 110 W - IRF5305STRLPBF
Tento P-kanálový tranzistor MOSFET je přizpůsoben pro vysoce účinné aplikace a poskytuje spolehlivost a výkon. Využívá funkce režimu vylepšení, takže je univerzální pro různé elektronické obvody. Díky robustním parametrům je vhodnou volbou pro automatizaci a řízení napájení v elektrických a mechanických prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Maximální trvalý odtokový proud 31 A
• Maximální napětí na zdroji 55 V
• Konfigurace pro povrchovou montáž pro bezproblémovou integraci
• Maximální příkon 110 W pro efektivní provoz
• Vylepšený tepelný výkon s maximální provozní teplotou +175 °C
• Nízký zapínací odpor 60 mΩ pro lepší účinnost
Aplikace
• Pro použití s ovladači motorů
• Vhodné pro napájecí obvody
• Elektronické spínání
• Řešení energetického managementu
Jaké je maximální prahové napětí hradla?
Maximální prahové napětí hradla je 4 V, což umožňuje dostatečnou kontrolu při návrhu obvodů.
Jak si MOSFET poradí s teplem?
Vyznačuje se maximálním příkonem 110 W, což umožňuje efektivní řízení tepla v náročných aplikacích.
Je tento produkt kompatibilní s konstrukcemi pro povrchovou montáž?
Ano, dodává se v pouzdru typu D2PAK určeném speciálně pro povrchovou montáž.
Jaká je minimální provozní teplota pro funkčnost?
Přístroj účinně pracuje při minimální teplotě -55 °C, což zajišťuje jeho univerzálnost v různých prostředích.
Jaký vliv má odpor při zapnutí na výkon?
Nízký maximální odpor zdroje 60 mΩ přispívá k vyšší účinnosti a výkonu v aplikacích pro dodávku energie.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905STRLPBF Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z34NSTRLPBF Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení