řada: HEXFET MOSFET IRF4905STRLPBF Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 831-2819
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-444
- Výrobní číslo:
- IRF4905STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
385,32 Kč
(bez DPH)
466,235 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 140 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
- Plus 13 810 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 77,064 Kč | 385,32 Kč |
| 25 - 45 | 67,826 Kč | 339,13 Kč |
| 50 - 120 | 63,232 Kč | 316,16 Kč |
| 125 - 245 | 59,33 Kč | 296,65 Kč |
| 250 + | 54,784 Kč | 273,92 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 831-2819
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-444
- Výrobní číslo:
- IRF4905STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 70A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 70A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 70 A, maximální ztrátový výkon 170 W - IRF4905STRLPBF
Tento vysokoproudový tranzistor MOSFET je vhodný pro různé aplikace v automatizaci a elektronice. S maximálním trvalým proudem na drenážích 70 A pracuje při napětí na drenážích až 55 V. Konfigurace v režimu vylepšení splňuje požadavky na výkon a nízká hodnota RDS(on) maximalizuje energetickou účinnost. Tento tranzistor MOSFET je určen pro aplikace s vysokým výkonem a vyznačuje se tepelnou stabilitou, takže je vhodný pro náročné provozní podmínky.
Vlastnosti a výhody
• Zlepšuje účinnost systému díky nízkým hodnotám zapínacího odporu
• Účinně funguje v teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C
• Podpora rychlého přepínání pro zvýšení výkonu
• Robustní konstrukce pro opakované lavinové situace
• Dodává se v pouzdře D2PAK TO-263 pro jednoduchou povrchovou montáž
Aplikace
• Používá se v systémech řízení napájení a měničích
• Vhodné pro řízení motoru vyžadující vysokou účinnost
• Integrované do spínaných napájecích zdrojů pro zvýšení výkonu
• Použitelné v automobilovém průmyslu, kde je potřeba spolehlivé řízení
• Použití v průmyslové automatizaci vyžadující značný výkon
Při jaké maximální teplotě může zařízení pracovat?
Přístroj má maximální provozní teplotu +150 °C, což zajišťuje stabilitu v různých podmínkách prostředí.
Jaký přínos má nízká hodnota RDS(on) pro návrh obvodu?
Nízké RDS(on) minimalizuje ztráty vedením, zvyšuje celkovou účinnost obvodu a umožňuje chladnější provoz.
Zvládne tato součástka pulzní proudy?
Ano, je schopen zvládat pulzní proudy až 280 A, takže je vhodný pro dynamické aplikace.
Jaké jsou klíčové parametry pro výběr kompatibilních řídicích napětí?
Napětí mezi hradlem a zdrojem by mělo zůstat v rozmezí -20 V až +20 V, aby byl zaručen efektivní provoz bez rizika poškození.
Je vhodný pro vysokofrekvenční spínací aplikace?
Zařízení je navrženo pro rychlé spínání, takže je vhodné pro vysokofrekvenční operační funkce v elektronických obvodech.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF5305STRLPBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z34NSTRLPBF Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 210 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení