řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-4772
- Výrobní číslo:
- IRF4905PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 763,60 Kč
(bez DPH)
2 133,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
- Plus 23 650 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 35,272 Kč | 1 763,60 Kč |
| 100 - 200 | 33,513 Kč | 1 675,65 Kč |
| 250 - 450 | 32,10 Kč | 1 605,00 Kč |
| 500 - 950 | 29,986 Kč | 1 499,30 Kč |
| 1000 + | 28,217 Kč | 1 410,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 919-4772
- Výrobní číslo:
- IRF4905PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 74A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 180nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 8.77mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.54mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 74A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 180nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 8.77mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.54mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 74 A, maximální ztrátový výkon 200 W - IRF4905PBF
Tento tranzistor MOSFET představuje univerzální řešení pro řízení napájení v různých průmyslových aplikacích. Je navržen s ohledem na vysokou účinnost a spolehlivost, takže je nezbytný pro profesionály v oblasti elektroniky a elektrotechniky. Tento produkt s robustními výkonnostními charakteristikami zlepšuje návrh obvodů a zajišťuje optimální provoz v náročných prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Vysoká schopnost trvalého odběrového proudu 74 A podporuje náročné aplikace
• Maximální napětí drain-source 55 V umožňuje efektivní řízení spotřeby
• Nízký zapínací odpor 20 mΩ zvyšuje energetickou účinnost
• Navržen jako MOSFET s vylepšeným režimem pro přesné řízení
• Používá pouzdro TO-220AB pro snadnou montáž a integraci
Aplikace
• Používá se v měničích DC-DC pro účinnou konverzi energie
• Ideální pro řízení motoru vyžadující významnou současnou správu
• Použití v napájecích zdrojích pro zefektivnění provozu
• Vhodné pro tepelný management v prostředí s vysokou zátěží
• Používá se v automatizačních systémech pro spolehlivé spínání
Jaký přínos má nízký odpor při zapnutí pro návrh obvodu?
Snížený odpor při zapnutí minimalizuje ztráty energie během provozu, čímž zvyšuje celkovou energetickou účinnost a výkon, což je důležité v aplikacích s vysokým proudem.
Jaký význam má použití pouzdra TO-220AB?
Pouzdro TO-220AB umožňuje účinný odvod tepla a zároveň snadnou instalaci, takže je preferovanou volbou v průmyslových aplikacích.
Zvládne tato součást prostředí s vysokými teplotami?
Ano, účinně pracuje při teplotách až do +175 °C, což je vhodné pro náročné aplikace.
Jaké aplikace vyžadují vysoký trvalý odtokový proud tohoto tranzistoru MOSFET?
Vysoký trvalý odběrový proud je vhodný pro aplikace, jako jsou motorové pohony, výkonové měniče a další systémy, které vyžadují robustní zpracování výkonu.
Jak ovlivňuje prahové napětí hradla jeho výkon?
Prahové napětí hradla v rozmezí od 2 V do 4 V zajišťuje spolehlivé spínání a přispívá k přesnému řízení v různých elektronických obvodech.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905PBF Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905LPBF Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z24NPBF Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z34NPBF Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení