řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 496,80 Kč

(bez DPH)

1 811,15 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 350 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 400 jednotka(y) budou odesílané od 07. května 2026
  • Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 09. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 5029,936 Kč1 496,80 Kč
100 - 20028,445 Kč1 422,25 Kč
250 - 45027,244 Kč1 362,20 Kč
500 - 95025,451 Kč1 272,55 Kč
1000 +23,949 Kč1 197,45 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
919-4772
Výrobní číslo:
IRF4905PBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

74A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Typ balení

TO-220

Řada

HEXFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

20mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

-1.6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

180nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

8.77mm

Délka

10.54mm

Automobilový standard

Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 74 A, maximální ztrátový výkon 200 W - IRF4905PBF


Tento tranzistor MOSFET představuje univerzální řešení pro řízení napájení v různých průmyslových aplikacích. Je navržen s ohledem na vysokou účinnost a spolehlivost, takže je nezbytný pro profesionály v oblasti elektroniky a elektrotechniky. Tento produkt s robustními výkonnostními charakteristikami zlepšuje návrh obvodů a zajišťuje optimální provoz v náročných prostředích.

Vlastnosti a výhody


• Vysoká schopnost trvalého odběrového proudu 74 A podporuje náročné aplikace

• Maximální napětí drain-source 55 V umožňuje efektivní řízení spotřeby

• Nízký zapínací odpor 20 mΩ zvyšuje energetickou účinnost

• Navržen jako MOSFET s vylepšeným režimem pro přesné řízení

• Používá pouzdro TO-220AB pro snadnou montáž a integraci

Aplikace


• Používá se v měničích DC-DC pro účinnou konverzi energie

• Ideální pro řízení motoru vyžadující významnou současnou správu

• Použití v napájecích zdrojích pro zefektivnění provozu

• Vhodné pro tepelný management v prostředí s vysokou zátěží

• Používá se v automatizačních systémech pro spolehlivé spínání

Jaký přínos má nízký odpor při zapnutí pro návrh obvodu?


Snížený odpor při zapnutí minimalizuje ztráty energie během provozu, čímž zvyšuje celkovou energetickou účinnost a výkon, což je důležité v aplikacích s vysokým proudem.

Jaký význam má použití pouzdra TO-220AB?


Pouzdro TO-220AB umožňuje účinný odvod tepla a zároveň snadnou instalaci, takže je preferovanou volbou v průmyslových aplikacích.

Zvládne tato součást prostředí s vysokými teplotami?


Ano, účinně pracuje při teplotách až do +175 °C, což je vhodné pro náročné aplikace.

Jaké aplikace vyžadují vysoký trvalý odtokový proud tohoto tranzistoru MOSFET?


Vysoký trvalý odběrový proud je vhodný pro aplikace, jako jsou motorové pohony, výkonové měniče a další systémy, které vyžadují robustní zpracování výkonu.

Jak ovlivňuje prahové napětí hradla jeho výkon?


Prahové napětí hradla v rozmezí od 2 V do 4 V zajišťuje spolehlivé spínání a přispívá k přesnému řízení v různých elektronických obvodech.

Související odkazy