řada: HEXFET MOSFET IRF9Z24NPBF Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-0799
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-312
- Výrobní číslo:
- IRF9Z24NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
12,10 Kč
(bez DPH)
14,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 498 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 1 519 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 12,10 Kč |
| 25 - 49 | 10,13 Kč |
| 50 - 99 | 9,39 Kč |
| 100 - 249 | 8,89 Kč |
| 250 + | 8,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-0799
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-312
- Výrobní číslo:
- IRF9Z24NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 175mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.54mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 8.77mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 175mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.54mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 8.77mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 12 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 45 W maximální ztrátový výkon - IRF9Z24NPBF
Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET je navržen pro efektivní řízení spotřeby v různých aplikacích. Díky P-kanálovému uspořádání je vhodný pro řízené spínání a zvýšený průtok proudu. Tento produkt hraje klíčovou roli při řízení výkonných zátěží a zajišťuje konzistentní výkon a tepelnou stabilitu v náročných podmínkách.
Vlastnosti a výhody
• Maximální trvalý odtokový proud 12 A
• Maximální napětí drain-source 55 V
• Nízký RDS(on) 175 mΩ pro snížení ztrát výkonu
• Funguje se záporným i kladným napětím na hradle a zdroji
Aplikace
• Používá se v systémech řízení napájení pro automatizaci
• Použití ve spínaných zdrojích pro elektroniku
• Přínosné v audio zesilovačích pro lepší výkon
• Běžně se používá v různé spotřební elektronice pro efektivní využití energie
Jaká je typická náplň brány pro optimální výkon?
Typický náboj hradla je 19nC při napětí hradlo-zdroj 10 V, což zajišťuje efektivní spínací charakteristiky.
Jak typ kanálu ovlivňuje funkčnost?
Jako P-kanálový MOSFET umožňuje lepší integraci do aplikací s vysokovýkonným spínáním, což rozšiřuje možnosti použití ve výkonových obvodech.
Jaký význam má teplotní rozsah?
Rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zajišťuje spolehlivost v různých prostředích, takže je univerzální pro různé průmyslové aplikace.
Lze jej použít ve vysokofrekvenčních spínacích aplikacích?
Ano, kombinace nízkého náboje a odporu hradla je vhodná pro vysokofrekvenční aplikace, což zvyšuje efektivitu výkonu.
Jaké aspekty je třeba zohlednit při instalaci?
Zajistěte správný tepelný management a vhodnou montáž, abyste usnadnili účinný odvod tepla, což může zvýšit životnost a spolehlivost v provozu.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z34NPBF Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF5305PBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905PBF Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 169 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení