řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 75 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 912-8687
- Výrobní číslo:
- IRF2805PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 712,05 Kč
(bez DPH)
3 281,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 54,241 Kč | 2 712,05 Kč |
| 100 - 200 | 51,534 Kč | 2 576,70 Kč |
| 250 - 450 | 49,36 Kč | 2 468,00 Kč |
| 500 - 950 | 46,11 Kč | 2 305,50 Kč |
| 1000 + | 43,393 Kč | 2 169,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 912-8687
- Výrobní číslo:
- IRF2805PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 75A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Výška | 16.51mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 75A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.83mm | ||
Výška 16.51mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 75 A, maximální ztrátový výkon 330 W - IRF2805PBF
Tento výkonový MOSFET poskytuje vynikající výkon pro různé elektronické aplikace. Jeho robustní specifikace jsou navrženy pro průmyslové prostředí a zajišťují spolehlivost i efektivitu. Díky nízkému zapínacímu odporu podporuje tato součástka vysokou proudovou zatížitelnost, takže je vhodná pro pokročilé obvody.
Vlastnosti a výhody
• Podporuje maximální trvalý odtokový proud 75 A
• Zvyšuje účinnost díky nízkému RDS(on) 4,7 mΩ
• Kompatibilita s napětím +20 V/-20 V na zdroji hradla pro lepší flexibilitu
• Možnost vysokých rychlostí přepínání pro splnění požadavků na dynamický výkon
• Podpora opakovaného zpracování lavin pro zajištění provozní odolnosti
Aplikace
• Používá se v pohonech průmyslových motorů pro efektivní regulaci výkonu
• Vhodné pro řízení napájení v automatizačních systémech
• Použití v systémech obnovitelných zdrojů energie pro efektivní spínání
• Používá se ve vysoce výkonném a odolném elektrickém nářadí
• Použitelné v systémech řízení baterií pro elektrická vozidla
Jakou maximální teplotu tato součástka vydrží?
Může pracovat v teplotním rozmezí od -55 °C do +175 °C, aby byl výkonný i v extrémních podmínkách.
Jak si tento MOSFET poradí s aplikacemi s vysokým proudem?
Je navržen tak, aby zvládal trvalý odtokový proud 75 A, takže je vhodný pro vysoké proudové nároky.
Lze jej použít v aplikacích s požadavky na rychlé přepínání?
Ano, tento tranzistor MOSFET podporuje vysoké spínací rychlosti, což je ideální pro aplikace vyžadující dynamický výkon.
Je tento přístroj vhodný pro použití ve střídačích?
Ano, jeho tepelná stabilita a schopnost zpracovávat vysoké proudy jej předurčují k použití ve výkonových měničích v systémech obnovitelných zdrojů energie.
Jaké jsou důsledky jeho nízké odolnosti vůči zapnutí?
Nízké RDS(on) snižuje ztráty energie během provozu, což přispívá ke zlepšení účinnosti a tepelného výkonu.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF2805PBF Typ N-kanálový 75 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF2807ZPBF Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 75 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 210 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 140 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 120 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení