řada: HEXFET MOSFET IRL3705NPBF N-kanálový 89 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 540-9991
- Výrobní číslo:
- IRL3705NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
62,24 Kč
(bez DPH)
75,31 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 366 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 220 jednotka(y) budou odesílané od 01. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 62,24 Kč |
| 10 - 49 | 59,03 Kč |
| 50 - 99 | 58,05 Kč |
| 100 - 249 | 53,85 Kč |
| 250 + | 50,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 540-9991
- Výrobní číslo:
- IRL3705NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 89A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -16, +16V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Šířka | 4.69mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 89A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -16, +16V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Šířka 4.69mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 89 A, maximální ztrátový výkon 170 W - IRL3705NPBF
Tento N-kanálový tranzistor MOSFET je navržen pro vysoce výkonné aplikace a zároveň poskytuje vyšší účinnost a spolehlivost. Využívá pokročilou technologii HEXFET, vyznačuje se minimálním zapínacím odporem a je vhodný pro různé automatizační, elektronické a elektrotechnické aplikace. Zařízení pracuje v širokém rozsahu teplot, což zajišťuje efektivní výkon v různých prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Nízký Rds(on) 10mΩ pro zvýšení účinnosti
• Pracuje v režimu vylepšení pro inovativní návrhy obvodů
• Možnost rychlého přepínání pro lepší odezvu systému
• Plně lavinově klasifikované pro odolnost v náročných situacích
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové systémy řízení napájení
• Ideální pro motorový pohon v automatizaci
• Kompatibilní s napájecími zdroji, které vyžadují nízký tepelný odpor
• Využití v měničích DC-DC pro zvýšení energetické účinnosti
Jaký je maximální ztrátový výkon?
Maximální ztrátový výkon je 170 W, což usnadňuje efektivní tepelné řízení při vysokém zatížení.
Je vhodný pro vysoké teploty?
Toto zařízení může fungovat v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodné pro různé scénáře s vysokými teplotami.
Jaký význam má rozsah prahového napětí hradla?
Prahové napětí hradla se pohybuje od 1 V do 2 V, což je nezbytné pro určení zapnutého/vypnutého stavu při různých napětích hradla.
Jaké jsou důvody pro použití v obvodu?
Dbejte na to, aby napětí mezi hradlem a zdrojem nepřekročilo ±16 V, aby nedošlo k poškození a byla zachována optimální funkčnost.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 30 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 49 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 47 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení