řada: HEXFET MOSFET IRL3705NPBF Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 540-9991
- Výrobní číslo:
- IRL3705NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
40,51 Kč
(bez DPH)
49,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 104 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 730 jednotka(y) budou odesílané od 12. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 40,51 Kč |
| 10 - 49 | 38,53 Kč |
| 50 - 99 | 38,04 Kč |
| 100 - 249 | 35,32 Kč |
| 250 + | 32,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 540-9991
- Výrobní číslo:
- IRL3705NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 89A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 98nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.02mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 89A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 98nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.02mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 89 A, maximální ztrátový výkon 170 W - IRL3705NPBF
Tento N-kanálový tranzistor MOSFET je navržen pro vysoce výkonné aplikace a zároveň poskytuje vyšší účinnost a spolehlivost. Využívá pokročilou technologii HEXFET, vyznačuje se minimálním zapínacím odporem a je vhodný pro různé automatizační, elektronické a elektrotechnické aplikace. Zařízení pracuje v širokém rozsahu teplot, což zajišťuje efektivní výkon v různých prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Nízký Rds(on) 10mΩ pro zvýšení účinnosti
• Pracuje v režimu vylepšení pro inovativní návrhy obvodů
• Možnost rychlého přepínání pro lepší odezvu systému
• Plně lavinově klasifikované pro odolnost v náročných situacích
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové systémy řízení napájení
• Ideální pro motorový pohon v automatizaci
• Kompatibilní s napájecími zdroji, které vyžadují nízký tepelný odpor
• Využití v měničích DC-DC pro zvýšení energetické účinnosti
Jaký je maximální ztrátový výkon?
Maximální ztrátový výkon je 170 W, což usnadňuje efektivní tepelné řízení při vysokém zatížení.
Je vhodný pro vysoké teploty?
Toto zařízení může fungovat v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodné pro různé scénáře s vysokými teplotami.
Jaký význam má rozsah prahového napětí hradla?
Prahové napětí hradla se pohybuje od 1 V do 2 V, což je nezbytné pro určení zapnutého/vypnutého stavu při různých napětích hradla.
Jaké jsou důvody pro použití v obvodu?
Dbejte na to, aby napětí mezi hradlem a zdrojem nepřekročilo ±16 V, aby nedošlo k poškození a byla zachována optimální funkčnost.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 169 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 75 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení