řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 919-4898
Výrobní číslo:: IRLZ34NPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

800,30 Kč

(bez DPH)

968,35 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

1 950 jednotka(y) budou odesílané od 02. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 - 50	16,006 Kč	800,30 Kč
100 - 200	12,483 Kč	624,15 Kč
250 - 450	11,683 Kč	584,15 Kč
500 - 1200	10,883 Kč	544,15 Kč
1250 +	10,083 Kč	504,15 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 919-4898
Výrobní číslo:: IRLZ34NPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Maximální napětí na zdroji Vds	55V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	35mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	25nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	68W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Délka	10.54mm
	Výška	8.77mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Maximální napětí na zdroji Vds 55V
	Řada HEXFET
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 68W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Délka 10.54mm
	Výška 8.77mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 30 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 68 W maximální ztrátový výkon - IRLZ34NPBF

Tento vysoce výkonný N-kanálový MOSFET je navržen pro účinnost v různých elektronických aplikacích. Má maximální trvalý proud 30 A a zvládne napětí dren-source až 55 V. Rozšířená schopnost režimu zajišťuje provoz za různých podmínek, což z něj činí cennou součástku pro řízení spotřeby v různých odvětvích.

Vlastnosti a výhody

• Nízký zapínací odpor 35 mΩ snižuje ztráty energie

• Vysoká schopnost rozptýlení energie 68 W zvyšuje výkonnost

• Rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zajišťuje univerzálnost

• Typický náboj hradla 25nC při 5V umožňuje rychlejší spínání

• Kompaktní pouzdro TO-220AB umožňuje efektivní uspořádání desek plošných spojů

Aplikace

• Využívá se v měničích DC-DC pro účinnou konverzi energie

• Vhodné pro obvody ovladačů motorů v průmyslové automatizaci

• Efektivní v systémech řízení napájení pro obnovitelné zdroje energie

• Používá se při vysokorychlostním přepínání pro telekomunikace

Jaké je maximální napětí na hradle a zdroji?

Zařízení vydrží maximální napětí na hradle a zdroji ±16 V, což zajišťuje bezpečný provoz v různých obvodech.

Jak ovlivňuje teplota jeho výkon?

MOSFET pracuje efektivně v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C a zachovává si stabilitu i v extrémních podmínkách.

Lze jej použít ve vysokofrekvenčních aplikacích?

Ano, je navržen s typickým nábojem hradla 25 nC při 5 V, takže je vhodný pro vysokofrekvenční aplikace, jako jsou VF zesilovače.

Jaké jsou důsledky nízké hodnoty Rds(on)?

Nižší hodnota Rds(on) výrazně snižuje produkci tepla a ztráty výkonu, čímž zlepšuje celkovou účinnost při návrhu napájecích zdrojů.

Je kompatibilní s různými elektronickými obvody?

Toto zařízení je univerzální a lze jej integrovat do různých obvodů, včetně automobilové a průmyslové výkonové elektroniky.