řada: HEXFET MOSFET IRFI4227PBF Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 262-6757
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-674
- Výrobní číslo:
- IRFI4227PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
179,08 Kč
(bez DPH)
216,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 89,54 Kč | 179,08 Kč |
| 20 - 48 | 81,385 Kč | 162,77 Kč |
| 50 - 98 | 76,075 Kč | 152,15 Kč |
| 100 - 198 | 70,89 Kč | 141,78 Kč |
| 200 + | 65,21 Kč | 130,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 262-6757
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-674
- Výrobní číslo:
- IRFI4227PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 26A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.036Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 26A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.036Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET od společnosti Infineon je speciálně navržen pro aplikace s rekuperací energie a přepínači v plazmových displejích. Tento tranzistor MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení nízkého odporu při zapnutí na křemíkovou plochu a nízké jmenovité hodnoty EPULSE.
Provozní teplota 150 stupňů Celsia
Vysoká schopnost opakovaného špičkového proudu
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB38N20DPBF Typ N-kanálový 43 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení