řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 65 A 200 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 913-3932
- Výrobní číslo:
- IRFB4227PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 347,15 Kč
(bez DPH)
1 630,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 950 jednotka(y) budou odesílané od 27. května 2027
- Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 07. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 26,943 Kč | 1 347,15 Kč |
| 100 - 200 | 24,784 Kč | 1 239,20 Kč |
| 250 + | 23,44 Kč | 1 172,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 913-3932
- Výrobní číslo:
- IRFB4227PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 65A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 24mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.66mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Šířka | 4.82mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 65A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 24mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.66mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Šířka 4.82mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 200 V, maximální nepřetržitý drain 65 A – IRFB4227PBF
Tento MOSFET je vysokoproudové N-kanálové vylepšovací zařízení navržené pro spínání a řízení napájení v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je dodáván v pouzdru TO-220 s průchozím otvorem, který je vhodný pro běžnou montáž na desku. Zařízení splňuje požadavky RoHS a je určeno pro aplikace vyžadující podstatnou nepřetržitou manipulaci s proudem a tepelnou odolnost.
Charakteristiky a výhody:
• Nízké hodnoty Rds(on) 24 mΩ zajišťují nižší ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 330 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Nabíjení hradla 70 nC umožňuje rychlejší přepínání
• Tolerance hradla 30 V podporuje robustní rozpětí pohonu hradla
• Jmenovitá teplota -40 °C až 175 °C umožňuje použití v široké škále provozních prostředí
• Rozptýlení výkonu 330 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Nabíjení hradla 70 nC umožňuje rychlejší přepínání
• Tolerance hradla 30 V podporuje robustní rozpětí pohonu hradla
• Jmenovitá teplota -40 °C až 175 °C umožňuje použití v široké škále provozních prostředí
Aplikace
• Vhodné pro regulátory vysokoproudých stejnosměrných motorů
• Ideální pro spínané napájecí zdroje a měniče
• Používá se se systémy pro správu baterií a rozvod napájení
• Lze použít pro průmyslové invertorové stupně
• Vhodné pro univerzální spínání napájení na deskách s průchozím otvorem
• Ideální pro spínané napájecí zdroje a měniče
• Používá se se systémy pro správu baterií a rozvod napájení
• Lze použít pro průmyslové invertorové stupně
• Vhodné pro univerzální spínání napájení na deskách s průchozím otvorem
Jaké je pouzdro a styl montáže zařízení?
Dodává se v pouzdru TO-220 a je určen pro montáž do průchozího otvoru.
Jaké provozní teploty odolává?
Je určen pro provoz v rozsahu -40 °C až 175 °C.
Jak zařízení řeší omezení regulativních materiálů?
Splňuje normy RoHS, které omezují nebezpečné látky.
Jaký je typ kanálu a režim vedení?
Jedná se o zařízení s N-kanálem pracující v režimu zesílení.
Jaké jsou limity napětí hradla a vypínacího napětí?
Hradlo má jmenovitou hodnotu ±30 V a maximální napětí odběru ke zdroji je 200 V.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4227PBF N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení