řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 145-9602
Výrobní číslo:: IRL1404ZPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Skladové číslo RS:: 145-9602
Výrobní číslo:: IRL1404ZPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	200A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TO-220
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	230W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	75nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	8.77mm
	Normy/schválení	No
	Délka	10.66mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TO-220
	Řada HEXFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 230W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 75nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 8.77mm
	Normy/schválení No
	Délka 10.66mm
	Automobilový standard Ne

Výjimka

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 200 A, maximální ztrátový výkon 230 W - IRL1404ZPBF

Tento tranzistor MOSFET je navržen pro vysokou účinnost v různých aplikacích, zejména v automatizaci, elektronice a elektrotechnice. Zajišťuje spolehlivý provoz v extrémních podmínkách, což je pro pokročilé elektronické systémy zásadní. Díky své robustní konstrukci je preferovanou volbou pro inženýry, kteří se snaží optimalizovat řešení správy napájení.

Vlastnosti a výhody

• Schopnost zpracovávat trvalé odtokové proudy až do 200 A

• Nízký on- source odpor zvyšuje účinnost

• Vhodné pro vysoké spínací rychlosti pro snížení energetických ztrát

• Pracuje v širokém rozsahu teplot od -55 °C do +175 °C

• Nabízí maximální prahové napětí hradla 2,7 V pro kompatibilitu

• Navrženo v průchozím pouzdře TO-220 pro jednoduchou montáž

Aplikace

• Používá se ve výkonových zesilovačích a měničích

• Použití ve spínaných zdrojích DC-DC

• Integrované v řídicích obvodech motoru

• Ideální pro automobilový průmysl a obnovitelné zdroje energie

Jaké maximální napětí tato součástka zvládne?

Zvládne maximální napětí drain-source 40 V.

Jak ovlivňuje prahové napětí hradla provoz?

Prahové napětí hradla 2,7 V zajišťuje účinnou aktivaci zařízení a umožňuje přesné řízení.

Lze tuto součást používat v prostředí s vysokými teplotami?

Ano, je dimenzován na provoz až do +175 °C, takže je vhodný pro intenzivní aplikace.

Jaký význam má nízký odpor drain-source?

Nízký odpor minimalizuje ztráty výkonu, čímž zvyšuje celkovou účinnost systému, zejména při vysokém proudovém zatížení.

Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon

Ovládání MOTORU MOSFET

Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.

Synchronní usměrňovač MOSFET

Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.