řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-5025
- Výrobní číslo:
- IRF630NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
477,20 Kč
(bez DPH)
577,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 05. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,544 Kč | 477,20 Kč |
| 100 - 200 | 7,538 Kč | 376,90 Kč |
| 250 - 450 | 7,059 Kč | 352,95 Kč |
| 500 - 1200 | 6,585 Kč | 329,25 Kč |
| 1250 + | 6,407 Kč | 320,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 919-5025
- Výrobní číslo:
- IRF630NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 300mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 82W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.54mm | |
| Výška | 8.77mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 82W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.54mm | ||
Výška 8.77mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 9,3A, maximální ztrátový výkon 82W - IRF630NPBF
Tento N-kanálový MOSFET je určen pro řadu aplikací v oblasti automatizace a elektroniky. Nabízí optimální možnosti rozptýlení energie a efektivní výkon, což je pro výkonné systémy klíčové. S maximálním napětím 200 V a trvalým proudem 9,3 A zajišťuje spolehlivý provoz v náročných elektronických prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Vysoký jmenovitý výkon podporuje rozsáhlé elektrické aplikace
• Efektivní konstrukce snižuje tepelný odpor pro účinné chlazení
• Rychlé přepínání zvyšuje výkon v dynamických systémech
• Jednoduché požadavky na pohon pomáhají při integraci obvodů
• Plně lavinově odolný, takže je vhodný do náročných podmínek
Aplikace
• Používá se v průmyslových napájecích zdrojích k udržení stabilní regulace napětí
• Použití v řídicích systémech motorů pro efektivní funkci
• Ideální pro měniče DC-DC a obvody řízení napájení
• Používá se v systémech HVAC k řízení motorů kompresorů
• Vhodné pro systémy obnovitelných zdrojů energie, které zvyšují energetickou účinnost
Jaké je maximální napětí na hradle a zdroji, které lze použít?
Maximální napětí na hradle a zdroji je ±20 V, což zajišťuje kompatibilitu s různými obvody.
Jak se zařízení vypořádává s odvodem tepla během provozu?
Má kapacitu rozptylu energie 82 W, což umožňuje efektivní řízení tepla při používání.
Je pro optimální výkon doporučen nějaký konkrétní typ montáže?
MOSFET je určen pro průchozí montáž, která podporuje spolehlivé řízení tepla a elektrickou konektivitu.
Jaké typy aplikací využívají jeho rychlé přepínání?
Aplikace vyžadující vysokorychlostní provoz, jako jsou spínané napájecí zdroje a kompaktní měniče, využívají výhod jeho rychlého spínání.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF630NPBF Typ N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7493TRPBF Typ N-kanálový 9.3 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení