řada: HEXFET MOSFET IRF630NPBF Typ N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 543-0068
- Výrobní číslo:
- IRF630NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
30,13 Kč
(bez DPH)
36,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 222 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 305 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 30,13 Kč |
| 25 - 49 | 25,69 Kč |
| 50 - 99 | 23,96 Kč |
| 100 - 249 | 22,48 Kč |
| 250 + | 21,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 543-0068
- Výrobní číslo:
- IRF630NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 300mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 82W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 8.77mm | |
| Délka | 10.54mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 82W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 8.77mm | ||
Délka 10.54mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 9,3A, maximální ztrátový výkon 82W - IRF630NPBF
Tento N-kanálový MOSFET je určen pro řadu aplikací v oblasti automatizace a elektroniky. Nabízí optimální možnosti rozptýlení energie a efektivní výkon, což je pro výkonné systémy klíčové. S maximálním napětím 200 V a trvalým proudem 9,3 A zajišťuje spolehlivý provoz v náročných elektronických prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Vysoký jmenovitý výkon podporuje rozsáhlé elektrické aplikace
• Efektivní konstrukce snižuje tepelný odpor pro účinné chlazení
• Rychlé přepínání zvyšuje výkon v dynamických systémech
• Jednoduché požadavky na pohon pomáhají při integraci obvodů
• Plně lavinově odolný, takže je vhodný do náročných podmínek
Aplikace
• Používá se v průmyslových napájecích zdrojích k udržení stabilní regulace napětí
• Použití v řídicích systémech motorů pro efektivní funkci
• Ideální pro měniče DC-DC a obvody řízení napájení
• Používá se v systémech HVAC k řízení motorů kompresorů
• Vhodné pro systémy obnovitelných zdrojů energie, které zvyšují energetickou účinnost
Jaké je maximální napětí na hradle a zdroji, které lze použít?
Maximální napětí na hradle a zdroji je ±20 V, což zajišťuje kompatibilitu s různými obvody.
Jak se zařízení vypořádává s odvodem tepla během provozu?
Má kapacitu rozptylu energie 82 W, což umožňuje efektivní řízení tepla při používání.
Je pro optimální výkon doporučen nějaký konkrétní typ montáže?
MOSFET je určen pro průchozí montáž, která podporuje spolehlivé řízení tepla a elektrickou konektivitu.
Jaké typy aplikací využívají jeho rychlé přepínání?
Aplikace vyžadující vysokorychlostní provoz, jako jsou spínané napájecí zdroje a kompaktní měniče, využívají výhod jeho rychlého spínání.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7493TRPBF Typ N-kanálový 9.3 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení