řada: HEXFET MOSFET IRFB5620PBF N-kanálový 25 A 200 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9009
- Výrobní číslo:
- IRFB5620PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
1 598,60 Kč
(bez DPH)
1 934,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 31,972 Kč | 1 598,60 Kč |
| 100 - 200 | 31,097 Kč | 1 554,85 Kč |
| 250 - 450 | 30,282 Kč | 1 514,10 Kč |
| 500 - 950 | 29,497 Kč | 1 474,85 Kč |
| 1000 + | 28,761 Kč | 1 438,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9009
- Výrobní číslo:
- IRFB5620PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 73mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 14W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 9.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 73mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 14W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 9.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 200 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A – IRFB5620PBF
Tento MOSFET je vysokonapěťový polovodičový spínač s N-kanálem určený pro napájecí aplikace s průchozím otvorem. Funguje jako zařízení s režimem zesílení, které je vhodné pro spínání a zesilování v náročných prostředích, a je umístěno v pouzdru TO-220 pro snadnou montáž a chlazení.
Charakteristiky a výhody:
• Vypínací napětí 200 V podporuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A umožňuje robustní manipulaci se zátěží
• Rds(on) 73 mΩ snižuje ztráty při vedení v napájecích obvodech
• Nabíjení hradla 25 nC umožňuje řízené spínací rychlosti
• Rozptýlení výkonu 14 W umožňuje mírné tepelné zatížení
• Tolerance hradla až 20 V chrání před přepětím
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A umožňuje robustní manipulaci se zátěží
• Rds(on) 73 mΩ snižuje ztráty při vedení v napájecích obvodech
• Nabíjení hradla 25 nC umožňuje řízené spínací rychlosti
• Rozptýlení výkonu 14 W umožňuje mírné tepelné zatížení
• Tolerance hradla až 20 V chrání před přepětím
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové stupně budiče motoru
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v průmyslových zařízeních
• Používá se pro spínání s měničovou nohou při převodu napájení
• Lze použít pro výstupní stupně audio zesilovače
• Vhodné pro univerzální spínání napájení na deskách s průchozím otvorem
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v průmyslových zařízeních
• Používá se pro spínání s měničovou nohou při převodu napájení
• Lze použít pro výstupní stupně audio zesilovače
• Vhodné pro univerzální spínání napájení na deskách s průchozím otvorem
Jaké extrémní teploty může tolerovat během provozu?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v rozšířených tepelných rozsazích.
Jak balení ovlivňuje montáž a řízení teploty?
Pouzdro TO-220 s průchozím otvorem zjednodušuje upevnění k chladičům a deskám plošných spojů pro efektivní rozptyl tepla.
Jaké limity napětí hradla by měly být dodržovány při ovládání?
Maximální jmenovité napětí mezi bránou a zdrojem je 20 V, takže ovladače brány by měly zůstat v rámci této prahové hodnoty.
Jakým způsobem ovlivňuje typ kanálu konstrukci obvodu?
Jelikož se jedná o zařízení s režimem zesílení N-kanálu, k vedení vyžaduje kladné napětí zdroje hradla, které je vhodné pro topologie spínačů s nízkou a vysokou stranou, pokud jsou řádně řízeny.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB260NPBF N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFI4227PBF N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF640NPBF N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení