řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-4817
- Výrobní číslo:
- IRF640NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 129,55 Kč
(bez DPH)
1 366,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 700 jednotka(y) budou odesílané od 25. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 22,591 Kč | 1 129,55 Kč |
| 100 - 200 | 17,848 Kč | 892,40 Kč |
| 250 - 450 | 16,717 Kč | 835,85 Kč |
| 500 - 1200 | 15,591 Kč | 779,55 Kč |
| 1250 + | 14,459 Kč | 722,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 919-4817
- Výrobní číslo:
- IRF640NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 150mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 67nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 8.77mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 150mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 67nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 8.77mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 18 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 150 W maximální ztrátový výkon - IRF640NPBF
Tento tranzistor MOSFET je určen pro vysoce účinné spínací aplikace a představuje spolehlivé řešení pro různé elektronické systémy. Jeho N-kanálová konfigurace zajišťuje minimální zapínací odpor a vysokou spolehlivost, takže je vhodný pro řízení napájení v průmyslovém a komerčním prostředí. Tato součástka je navržena speciálně pro uživatele z oblasti automatizace a elektrotechniky a zajišťuje optimální výkon v jejich aplikacích.
Vlastnosti a výhody
• Trvalý odtokový proud až 18 A pro robustní výkonovou náročnost
• Efektivně pracuje s napětím až 200 V pro větší všestrannost
• Nízký zapínací odpor minimalizuje ztráty energie během provozu
• Zjednodušené požadavky na pohon usnadňují integraci do obvodů
• Plně lavinově klasifikované pro vyšší bezpečnost a výkonnost
Aplikace
• Používá se v napájecích obvodech pro průmyslovou automatizaci
• Vhodné pro řízení motoru v robotice
• Ideální pro systémy obnovitelných zdrojů energie, jako jsou solární střídače
• Používá se v systémech spínání výkonu pro elektrická zařízení
• Používá se v zesilovacích stupních zvukových zařízení
Jaký vliv má teplota na výkon?
Zařízení funguje efektivně v rozmezí teplot -55 °C až +175 °C, což umožňuje použití v různých teplotních prostředích bez snížení výkonu.
Jaký význam má maximální napětí na hradle a zdroji?
MOSFET podporuje úrovně napětí na hradle a zdroji ±20 V, což zajišťuje bezpečný provoz a zabraňuje poškození při spínacích operacích.
Zvládne tato součástka náhlé napěťové špičky?
Ano, je plně lavinově odolný, takže vydrží krátké napěťové špičky, což zvyšuje jeho výkon v náročných aplikacích.
Jaký je dopad rezistence na celkovou účinnost?
Nízký odpor při zapnutí výrazně snižuje rozptyl energie během provozu, čímž zlepšuje energetickou účinnost v aplikacích řízení spotřeby.
Je vhodný pro povrchovou montáž?
Pouzdro TO-220AB je speciálně navrženo pro průchozí montáž, což zajišťuje účinný odvod tepla namísto povrchové montáže.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF640NPBF Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4020PBF Typ N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení