AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD95R750P7ATMA1 N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-0883
- Výrobní číslo:
- IPD95R750P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
116,83 Kč
(bez DPH)
141,364 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 332 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 58,415 Kč | 116,83 Kč |
| 20 - 48 | 47,92 Kč | 95,84 Kč |
| 50 - 98 | 45,08 Kč | 90,16 Kč |
| 100 - 198 | 41,99 Kč | 83,98 Kč |
| 200 + | 38,41 Kč | 76,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-0883
- Výrobní číslo:
- IPD95R750P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.7mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET 950V CoolMOS řady P7 představuje nový standard v 950V superjunction technologiích a kombinuje nejlepší výkon ve své třídě se stavem snadné obsluhy ART, který je výsledkem průkopnické inovace technologie superjunction společnosti Infineon za více než 18 let.
Nejlepší ve své třídě FOM RDS(ON) * Eoss
Nejlepší ve své třídě DPAK RDS (ON)
Nejlepší ve své třídě v(GS)th 3V
Plně optimalizované portfolio
Integrovaná ochrana proti elektrostatickému výboji Zenerovy diody
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N