AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD50N10S3L16ATMA1 N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-0878
- Výrobní číslo:
- IPD50N10S3L16ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
81,26 Kč
(bez DPH)
98,32 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 2 384 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 40,63 Kč | 81,26 Kč |
| 10 - 18 | 38,53 Kč | 77,06 Kč |
| 20 - 48 | 34,95 Kč | 69,90 Kč |
| 50 - 98 | 31,37 Kč | 62,74 Kč |
| 100 + | 29,64 Kč | 59,28 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-0878
- Výrobní číslo:
- IPD50N10S3L16ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.7mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon OptiMOSTM je zelený výrobek vyhovující směrnici RoHS a splňuje požadavky na AEC Q101 v automobilovém průmyslu.
N-kanál – Režim rozlišení
MSL1 až 260°C Peak přetavení
Provozní teplota 175 °C
Testováno 100% Avalanche
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N