AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD50N10S3L16ATMA1 Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

84,72 Kč

(bez DPH)

102,52 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 2 494 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 842,36 Kč84,72 Kč
10 - 1840,14 Kč80,28 Kč
20 - 4836,435 Kč72,87 Kč
50 - 9832,73 Kč65,46 Kč
100 +31,00 Kč62,00 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-0878
Výrobní číslo:
IPD50N10S3L16ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

180A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-252

Řada

IPD

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.7mΩ

Režim kanálu

N

Typický náboj brány Qg @ Vgs

80nC

Přímé napětí Vf

1V

Maximální ztrátový výkon Pd

81W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor MOSFET Infineon OptiMOSTM je zelený výrobek vyhovující směrnici RoHS a splňuje požadavky na AEC Q101 v automobilovém průmyslu.

N-kanál – Režim rozlišení

MSL1 až 260°C Peak přetavení

Provozní teplota 175 °C

Testováno 100% Avalanche

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.