AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD65R660CFDAATMA1 Typ N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-8548
- Výrobní číslo:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
58,49 Kč
(bez DPH)
70,772 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 402 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 + | 29,245 Kč | 58,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-8548
- Výrobní číslo:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon CoolMOS je revoluční technologie pro vysokonapěťové tranzistory MOSFET, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. 650V CoolMOS CFDA kombinuje zkušenosti předního dodavatele SJ MOSFET s vysoce kvalitními inovacemi. Výsledná zařízení poskytují všechny výhody rychlého spínání SJ MOSFET a zároveň nabízejí extrémně rychlou a robustní tělní diodu. Díky této kombinaci extrémně nízkých ztrát spínání, komutace a vedení spolu s nejvyšší robustností jsou zvláště rezonanční spínací aplikace spolehlivější, efektivnější, lehčí a chladnější.
Ultrarychlá dioda těla
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Extrémně nízké ztráty v důsledku velmi nízké
Snadné použití/jízda
Splňuje požadavky normy AEC Q101
Zelený balíček (v souladu se směrnicí RoHS)
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 75 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET IPD110N12N3GATMA1 Typ N-kanálový 75 A Infineon, TO-252 N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N