AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD050N10N5ATMA1 Typ N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-8544
- Výrobní číslo:
- IPD050N10N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
144,74 Kč
(bez DPH)
175,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 536 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 72,37 Kč | 144,74 Kč |
| 20 - 48 | 60,64 Kč | 121,28 Kč |
| 50 - 98 | 56,315 Kč | 112,63 Kč |
| 100 - 198 | 52,735 Kč | 105,47 Kč |
| 200 + | 48,41 Kč | 96,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-8544
- Výrobní číslo:
- IPD050N10N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon OptiMOSM5 má bezolovnaté pokovování, splňuje požadavky směrnice RoHS a je bezhalogenový v souladu s normou IEC61249-2-21.
N-kanál, normální úroveň
Vynikající nabíjení hradla x RDS (ON) produkt (FOM)
Velmi nízký odpor RDS (ON)
Provozní teplota 175 °C
Ideální pro vysokofrekvenční spínání
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 75 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET IPD110N12N3GATMA1 Typ N-kanálový 75 A Infineon, TO-252 N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N