AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD050N10N5ATMA1 N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-8544
- Výrobní číslo:
- IPD050N10N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
162,53 Kč
(bez DPH)
196,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 536 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 81,265 Kč | 162,53 Kč |
| 20 - 48 | 68,05 Kč | 136,10 Kč |
| 50 - 98 | 63,23 Kč | 126,46 Kč |
| 100 - 198 | 59,28 Kč | 118,56 Kč |
| 200 + | 54,585 Kč | 109,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-8544
- Výrobní číslo:
- IPD050N10N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon řady IPD, maximální zdrojové napětí vypouštění 75 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A – IPD050N10N5ATMA1
Tento MOSFET je výkonový tranzistor N-kanálu pro povrchovou montáž navržený pro vysokoproudové spínání v náročných prostředích, který nabízí širokou toleranci provozní teploty a dodržování průmyslových environmentálních norem.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 75 V umožňuje přepínání při středním napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A podporuje aplikace s vysokým proudem
• Nízký odpor při zapnutí 3 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Typický náboj hradla 80 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
• Maximální jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní pohon hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A podporuje aplikace s vysokým proudem
• Nízký odpor při zapnutí 3 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Typický náboj hradla 80 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
• Maximální jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní pohon hradla
Aplikace
• Vhodné pro rozvodné jednotky v automobilovém průmyslu
• Ideální pro měniče DC/DC v průmyslových zařízeních
• Používá se pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro správu a ochranu baterií
• Používá se s napájecími spínacími polemi na sestavách pro povrchovou montáž
• Ideální pro měniče DC/DC v průmyslových zařízeních
• Používá se pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro správu a ochranu baterií
• Používá se s napájecími spínacími polemi na sestavách pro povrchovou montáž
V jakém teplotním rozsahu může pracovat?
Pracuje v rozšířeném rozsahu od -55 °C do 175 °C a podporuje náročné tepelné podmínky.
Jak balení ovlivňuje montáž a tepelný výkon?
Pouzdro TO-252 pro povrchovou montáž zajišťuje kompaktní půdorys desky a usnadňuje přenos tepla na PCB pro řízení tepla.
Jaká charakteristika diody je relevantní pro přímé vedení?
Vnitřní dioda vykazuje během vedení přibližně 1,3 V přímé napětí.
Je vhodný pro aplikace s omezením materiálů v prostředí?
Splňuje požadavky směrnice RoHS a splňuje omezení pro některé nebezpečné látky.
Jakou orientaci kanálu a režim používá?
Používá kanál typu N pracující v režimu zesílení pro standardní chování spínání napájení.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N