AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 244-8543
Výrobní číslo:: IPD050N10N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

66 957,50 Kč

(bez DPH)

81 017,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 22. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	26,783 Kč	66 957,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 244-8543
Výrobní číslo:: IPD050N10N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	180A
	Maximální napětí na zdroji Vds	75V
	Řada	IPD
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A
	Maximální napětí na zdroji Vds 75V
	Řada IPD
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD050N10N5ATMA1

MOSFET Infineon řady IPD, maximální zdrojové napětí vypouštění 75 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A – IPD050N10N5ATMA1

Tento MOSFET je výkonový tranzistor N-kanálu pro povrchovou montáž navržený pro vysokoproudové spínání v náročných prostředích, který nabízí širokou toleranci provozní teploty a dodržování průmyslových environmentálních norem.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální napětí mezi vypouštěním a zdrojem 75 V umožňuje přepínání při středním napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A podporuje aplikace s vysokým proudem
• Nízký odpor při zapnutí 3 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Typický náboj hradla 80 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon hradla
• Maximální jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V umožňuje robustní pohon hradla

Aplikace

• Vhodné pro rozvodné jednotky v automobilovém průmyslu
• Ideální pro měniče DC/DC v průmyslových zařízeních
• Používá se pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro správu a ochranu baterií
• Používá se s napájecími spínacími polemi na sestavách pro povrchovou montáž

V jakém teplotním rozsahu může pracovat?

Pracuje v rozšířeném rozsahu od -55 °C do 175 °C a podporuje náročné tepelné podmínky.

Jak balení ovlivňuje montáž a tepelný výkon?

Pouzdro TO-252 pro povrchovou montáž zajišťuje kompaktní půdorys desky a usnadňuje přenos tepla na PCB pro řízení tepla.

Jaká charakteristika diody je relevantní pro přímé vedení?

Vnitřní dioda vykazuje během vedení přibližně 1,3 V přímé napětí.

Je vhodný pro aplikace s omezením materiálů v prostředí?

Splňuje požadavky směrnice RoHS a splňuje omezení pro některé nebezpečné látky.

Jakou orientaci kanálu a režim používá?

Používá kanál typu N pracující v režimu zesílení pro standardní chování spínání napájení.