AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 244-0881
Výrobní číslo:: IPD95R750P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

33 967,50 Kč

(bez DPH)

41 100,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 09. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	13,587 Kč	33 967,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 244-0881
Výrobní číslo:: IPD95R750P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	180A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Přímé napětí Vf	900mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Přímé napětí Vf 900mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R750P7ATMA1

MOSFET Infineon řady IPD, zdrojové napětí vypouštění 100 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A – IPD95R750P7ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudý spínací tranzistor navržený pro napájecí aplikace pro povrchovou montáž, který pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročné prostředí. Jedná se o zařízení s N-kanálem ve formátu TO-252 a je určeno pro použití tam, kde je vyžadován robustní pohon hradla a významný nepřetržitý vypouštěcí proud.

Charakteristiky a výhody:

• Odolnost proti vypouštění 100 V podporuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A umožňuje manipulaci s velkým zatížením
• RDS(on) 0.7 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje trvalé napájení
• Nabíjení hradla 80 nC vyváží požadavky na spínací rychlost a pohon
• Jmenovitá hodnota hradla 20 V zajišťuje prostor pro běžné pohony hradla

Aplikace

• Vhodné pro moduly rozvodu napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro stupně pohonu motoru v elektrifikovaných systémech
• Používá se s měničem DC/DC ve vysokoproudých zdrojích
• Lze použít pro ochranu a správu baterií
• Vhodné pro vysokovýkonové spínání v průmyslových měničích

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C pro delší provozní podmínky.

Jak konfigurace kolíků ovlivňuje montáž?

Tříkolíkové uspořádání v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž usnadňuje kompaktní uspořádání desek plošných spojů a efektivní vedení tepla k desce.

Jaký materiál nebo schválení naznačují soulad s omezenými látkami?

Splňuje požadavky RoHS pro omezené látky v elektronických sestavách.

Je zařízení vhodné pro kvalifikační kritéria v automobilovém průmyslu?

Splňuje normy AEC-Q101 platné pro diskrétní polovodiče pro automobilové použití.