AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD65R225C7ATMA1 Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-0944
- Výrobní číslo:
- IPD65R225C7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
93,37 Kč
(bez DPH)
112,978 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 464 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 46,685 Kč | 93,37 Kč |
| 10 - 18 | 44,335 Kč | 88,67 Kč |
| 20 - 48 | 40,015 Kč | 80,03 Kč |
| 50 - 98 | 35,815 Kč | 71,63 Kč |
| 100 + | 34,085 Kč | 68,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-0944
- Výrobní číslo:
- IPD65R225C7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonové tranzistory MOSFET CoolMOS C7 společnosti Infineon představují revoluční krok vpřed v technologii, poskytují nízkou hodnotu RDS (ON)/Package a díky nízkým spínacím ztrátám, zlepšení účinnosti v celém rozsahu zatížení.nabízejí nejnižší RDS (ON) na světě o hodnotě 19 mΩ v BALÍČCÍCH to-247 a 45 mΩ v BALÍČCÍCH TO-220 a D2PAK. Rychlý spínací výkon C7 nyní umožňuje zákazníkům pracovat při spínacích frekvencích vyšších než 100 kHz a současně dosahovat titanové úrovně účinnosti ve fázích PFC serveru.
Napětí 650 V.
Revoluční systém RDS (ON)/balíček, který je nejlepší ve své třídě
Snížená energie uložená ve výstupní kapacitance (Eoss)
Spusťte plnění hradla QG
Úspora místa díky použití menších balíků nebo snížení počtu dílů
Vylepšená bezpečnostní rezerva a vhodná pro aplikace SMPS i solárního měniče
Nejnižší ztráty vedení/balení
Nízké ztráty při spínání
Lepší účinnost při nízké zátěži
Zvýšení hustoty výkonu
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N