AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 180 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 244-0945
Výrobní číslo:: IPD80R280P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 180 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

59 872,50 Kč

(bez DPH)

72 445,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 21. června 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	23,949 Kč	59 872,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 244-0945
Výrobní číslo:: IPD80R280P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	180A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.2mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	900mV
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 900mV
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD80R280P7ATMA1

MOSFET Infineon řady IPD, maximální zdrojové napětí vypouštění 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A – IPD80R280P7ATMA1

Tento MOSFET je výkonový N-kanálový tranzistor navržený pro vysokoproudé spínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot pro náročné prostředí a obsahuje vnitřní diodu s definovaným napětím, díky čemuž je vhodný pro automobilové a průmyslové výkonové stupně.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální napětí mezi odvodem a zdrojem 40 V umožňuje použití systému středního napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 180 A podporující vysoké proudové zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 1.2 mΩ snižující ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje trvale vysoký výkon
• Nabíjení hradla 80 nC pro rychlé přepínání
• Maximální jmenovité napětí hradla Vgs 20 V chrání konstrukci pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro moduly rozvodu napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro měniče DC/DC ve vozidlech
• Používá se pro stupně pohonu motoru v elektrických systémech
• Lze použít pro přepínání zátěže při řízení napájení
• Vhodné pro sestavy SMD s vysokým proudem na deskách

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C, což zajišťuje široký tepelný rozsah pro náročná prostředí.

Jak se vnitřní dioda chová elektricky?

Dioda těla vykazuje přímé napětí 0,9 V, které ovlivňuje recirkulační proud a ztrátu vodivosti při reverzní vodivosti.

Jaké obaly a montáž se vztahují na konstrukci desek plošných spojů?

Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro povrchovou montáž, která vyžaduje vhodnou konstrukci pájecí podložky a řízení teploty na PCB.

Je vhodný pro projekty automobilové úrovně z hlediska kvalifikace?

Splňuje normu AEC-Q101 pro použití v automobilových elektronických aplikacích.