řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH88N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 447 A 60 V, PG-WHTFN-9 Infineon, počet kolíků: 9 kolíkový

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
348-881
Výrobní číslo:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Automobilový standard

Ne

Řada

OptiMOS 5

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

447 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

60 V

Typ balení

PG-WHTFN-9

Počet kolíků

9

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální odpor zdroje (Rds)

0.86 mΩ

Maximální napětí zdroje brány (Vgs)

20 V

Maximální provozní teplota

175 °C

Maximální ztrátový výkon (Pd)

333 W

Minimální provozní teplota

-55 °C

Typ montáže

Povrch

Normy/schválení

No

Země původu (Country of Origin):
MY
The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.86 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Reduced voltage overshoot

Increased maximum current capability

Fast switching

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.