řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon, PG-WHTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-771
- Výrobní číslo:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
235,14 Kč
(bez DPH)
284,52 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 47,028 Kč | 235,14 Kč |
| 50 - 95 | 44,708 Kč | 223,54 Kč |
| 100 - 495 | 41,398 Kč | 206,99 Kč |
| 500 - 995 | 38,038 Kč | 190,19 Kč |
| 1000 + | 36,704 Kč | 183,52 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-771
- Výrobní číslo:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 99A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PG-WHTFN-9 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.0mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PG-WHTFN-9 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.0mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET je příkladnou volbou pro aplikace vyžadující vysokou účinnost a spolehlivost. Toto zařízení s N kanálem, optimalizované pro synchronní usměrňování, je součástí řady OptiMOS 5, která je známá svým robustním tepelným výkonem a nízkým zapínacím odporem. Zařízení účinně pracuje při napětí až 80 V, takže je vhodné pro širokou škálu průmyslových aplikací. Díky vlastnostem, jako je 100% lavinové testování a provedení bez Pb, které splňuje normy RoHS, je tento výrobek ve svém výrobním procesu ztělesněním bezpečnosti i udržitelnosti. Jeho malé rozměry a vysoký výkon se projevují v pokročilé konstrukci, která zajišťuje vynikající tepelné vlastnosti a představuje vynikající volbu pro konstruktéry, kteří usilují o zlepšení celkové účinnosti systému.
Optimalizováno pro synchronní usměrnění
N kanál pro snadnou integraci obvodů
Nízký odpor při zapnutí snižuje ztráty energie
Robustní tepelná odolnost pro spolehlivost
Lavinově testováno pro extrémní podmínky
Bezolovnaté pokovení pro bezpečnost
Bezhalogenová konstrukce splňuje normy IEC
Kvalifikace podle průmyslových standardů JEDEC
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQE031N08LM6CGSCATMA1 N kanál-kanálový 127 A 80 V Infineon počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Typ N PG-WHTFN-9 Infineon, počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Typ N PG-WHTFN-9 Infineon, počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 6MOSFET IQD005N04NM6CGSCATMA1 N-kanálový 597 A 40 V počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 6MOSFET IQDH45N04LM6CGSCATMA1 N-kanálový 611 A 40 V počet kolíků: 9