řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQE031N08LM6CGSCATMA1 N-kanálový 127 A 80 V Infineon, PG-WHTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 762-895
- Výrobní číslo:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
75,58 Kč
(bez DPH)
91,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 246 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 75,58 Kč |
| 10 - 99 | 51,87 Kč |
| 100 - 499 | 44,46 Kč |
| 500 - 999 | 42,98 Kč |
| 1000 + | 41,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-895
- Výrobní číslo:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 127A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-WHTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.15mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 0.75mm | |
| Délka | 3.4mm | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 127A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-WHTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.15mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 0.75mm | ||
Délka 3.4mm | ||
Šířka 3.4mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS 6 je optimalizován pro vysoce výkonné SMPS s jmenovitým napětím 80 V. Je bezhalogenový podle normy IEC61249-2-21 a je v souladu se směrnicí RoHS.
N-kanál
100% lavinový test
Provozní teplota 75 °C
Bezolovnaté povrchové pokovení
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5CGSCATMA1 N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH88N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 447 A 60 V počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH35N03LM5CGSCATMA1 N-kanálový 700 A 30 V počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQE031N08LM6CGATMA1 N-kanálový 127 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: IQD0 MOSFET IQD063N15NM5CGSCATMA1 N-kanálový 151 A 150 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: IQD0 MOSFET IQD020N10NM5CGSCATMA1 N-kanálový 276 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení