řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 132 A 60 V Infineon, PG-WHTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-758
- Výrobní číslo:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
235,89 Kč
(bez DPH)
285,425 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 47,178 Kč | 235,89 Kč |
| 50 - 95 | 44,806 Kč | 224,03 Kč |
| 100 - 495 | 41,546 Kč | 207,73 Kč |
| 500 - 995 | 38,236 Kč | 191,18 Kč |
| 1000 + | 36,804 Kč | 184,02 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-758
- Výrobní číslo:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 132A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-WHTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 132A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-WHTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET je příkladem špičkové technologie a výkonu, navržený pro efektivní provoz v náročných aplikacích. Je optimalizován pro synchronní usměrňování, zajišťuje vynikající tepelnou správu a spolehlivost, takže je ideální volbou pro různá průmyslová použití. Je postaven na platformě OptiMOS 5 a je přizpůsoben pro efektivní provoz v rozsahu 60 V při zachování kompaktních rozměrů. Jeho robustní konstrukce umožňuje efektivní spínání, zajišťuje vysoký výkon a minimalizuje ztráty.
Vynikající tepelná odolnost pro spolehlivost
Pokovování bez Pb pro dodržení ekologických požadavků
100% lavinové testování pro zajištění výkonu
Výjimečný náboj hradla pro efektivitu spínání
Splňuje bezhalogenové normy
Ideální pro náročné průmyslové aplikace
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5CGSCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQE031N08LM6CGSCATMA1 N kanál-kanálový 127 A 80 V Infineon počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Typ N PG-WHTFN-9 Infineon, počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Typ N PG-WHTFN-9 Infineon, počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 6MOSFET IQD005N04NM6CGSCATMA1 N-kanálový 597 A 40 V počet kolíků: 9
- řada: OptiMOS 5MOSFET IQD016N08NM5CGSCATMA1 N-kanálový 323 A 80 V počet kolíků: 9