řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH35N03LM5CGSCATMA1 N-kanálový 700 A 30 V, PG-WHTFN-9 Infineon, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 348-875
- Výrobní číslo:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 348-875
- Výrobní číslo:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 700 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 30 V | |
| Typ balení | PG-WHTFN-9 | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.35 mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 278 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Normy/schválení | No | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 700 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 30 V | ||
Typ balení PG-WHTFN-9 | ||
Počet kolíků 9 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.35 mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 278 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Povrch | ||
Normy/schválení No | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.35 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.
Minimized conduction losses
Fast switching
Reduced voltage overshoot
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5CGSCATMA1 N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS Výkonový MOSFET IQE031N08LM6CGSCATMA1 N-kanálový 127 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH88N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 447 A 60 V počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: IQD0 MOSFET IQD020N10NM5CGSCATMA1 N-kanálový 276 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: IQD0 MOSFET IQD063N15NM5CGSCATMA1 N-kanálový 151 A 150 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení