řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-945
- Výrobní číslo:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
176,11 Kč
(bez DPH)
213,094 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 88,055 Kč | 176,11 Kč |
| 20 - 198 | 79,41 Kč | 158,82 Kč |
| 200 - 998 | 73,11 Kč | 146,22 Kč |
| 1000 - 1998 | 67,68 Kč | 135,36 Kč |
| 2000 + | 60,76 Kč | 121,52 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-945
- Výrobní číslo:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 447A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.86mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 76nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 447A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.86mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 76nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET OptiMOS 5 je vysoce výkonný N-kanálový tranzistor MOSFET navržený tak, aby poskytoval výjimečnou účinnost a spolehlivost pro průmyslové aplikace. Tato součástka využívá vyspělou polovodičovou technologii a vyznačuje se vynikajícím tepelným managementem a nízkým zapínacím odporem, takže je ideální pro řešení konverze energie. Díky vysokému lavinovému energetickému ratingu a přísné validaci podle standardů JEDEC se můžete spolehnout, že tento produkt splňuje přísné provozní požadavky při zachování bezpečnosti a odolnosti.
Optimalizovaný tepelný odpor pro chlazení
Kvalifikace pro průmyslovou spolehlivost
Bezolovnaté pokovení pro ekologickou šetrnost
Nízké požadavky na pohon hradel zjednodušují obvody
Robustní konstrukce pro vysoké odtokové proudy
100% lavinové testování spolehlivosti
Kompaktní balení pro snadnou integraci
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 Typ N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD005N04NM6CGATMA1 Typ N-kanálový 610 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový