řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-932
- Výrobní číslo:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
186,73 Kč
(bez DPH)
225,944 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 93,365 Kč | 186,73 Kč |
| 20 - 198 | 84,225 Kč | 168,45 Kč |
| 200 - 998 | 77,56 Kč | 155,12 Kč |
| 1000 - 1998 | 72,00 Kč | 144,00 Kč |
| 2000 + | 64,465 Kč | 128,93 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-932
- Výrobní číslo:
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 323A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.57mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 106nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 323A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.57mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 106nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET OptiMOS 5 je navržen tak, aby poskytoval výjimečný výkon díky pokročilé konstrukci N kanálu. Tato robustní součástka se ideálně hodí pro aplikace, kde je nejdůležitější vysoká účinnost a nízký odpor při zapnutí. Pracuje při průrazném napětí 80 V a zajišťuje spolehlivý provoz v náročných podmínkách. Tento výkonový tranzistor s vynikajícím profilem tepelné odolnosti odolává náročným průmyslovým aplikacím a je vhodným řešením pro inženýry, kteří chtějí zvýšit energetickou účinnost systémů řízení spotřeby. Rozsáhlý validační proces navíc zaručuje dodržování nejvyšších standardů spolehlivosti a bezpečnosti a zajišťuje, že vaše návrhy budou výkonné a odolné.
N kanál pro efektivní vedení energie
Nízký odpor při zapnutí minimalizuje ztráty výkonu
Vynikající tepelný management pro dlouhou životnost
100% lavinové testování stability
Neobsahuje Pb a je v souladu s RoHS
Bezhalogenová konstrukce pro bezpečnost
Kvalifikace JEDEC pro průmyslové aplikace
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 Typ N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD005N04NM6CGATMA1 Typ N-kanálový 610 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový