řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-940
- Výrobní číslo:
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
218,10 Kč
(bez DPH)
263,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 109,05 Kč | 218,10 Kč |
| 20 - 198 | 98,06 Kč | 196,12 Kč |
| 200 - 998 | 90,40 Kč | 180,80 Kč |
| 1000 - 1998 | 83,98 Kč | 167,96 Kč |
| 2000 + | 75,09 Kč | 150,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-940
- Výrobní číslo:
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 789A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.29mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 789A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.29mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET s technologií Optimos 5 je navržen tak, aby poskytoval výjimečný výkon v různých průmyslových aplikacích. Tento špičkový N-kanálový tranzistor pracuje s maximálním napětím 25 V, nabízí působivě nízký odpor při zapnutí a lepší tepelnou správu. Jeho působivá schopnost trvalého odběrového proudu 789 A mu umožňuje efektivně pracovat i v náročných podmínkách. Je zkonstruován tak, aby byl spolehlivý, a je plně kvalifikován podle standardů JEDEC, což zaručuje dlouhou životnost a odolnost při každodenním používání.
Pokročilá tepelná odolnost pro dlouhou životnost
Nulové napětí na hradle minimalizuje plýtvání energií
Robustní zpracování lavinové energie pro zajištění spolehlivosti
Bez Pb a v souladu s RoHS pro ekologickou šetrnost
Optimalizováno pro aplikace na logické úrovni
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH35N03LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD005N04NM6CGATMA1 Typ N-kanálový 610 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 Typ N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový