STMicroelectronics IGBT STGF7NB60SL Typ N-kanálový 7 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 686-8360
- Výrobní číslo:
- STGF7NB60SL
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
96,58 Kč
(bez DPH)
116,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 254 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 48,29 Kč | 96,58 Kč |
| 10 - 98 | 41,25 Kč | 82,50 Kč |
| 100 - 498 | 32,11 Kč | 64,22 Kč |
| 500 + | 27,665 Kč | 55,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 686-8360
- Výrobní číslo:
- STGF7NB60SL
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 7A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 25W | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.6V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | Powermesh | |
| Výška | 16.4mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 7A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 25W | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.6V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada Powermesh | ||
Výška 16.4mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 7 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGF6NC60HD Typ N-kanálový 7 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 29 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
- STMicroelectronics IGBT STGF10NB60SD Typ N-kanálový 29 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGF20H65DFB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB10NC60HDT4 Typ N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz