STMicroelectronics IGBT STGF6NC60HD Typ N-kanálový 7 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

188,21 Kč

(bez DPH)

227,735 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 20 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 08. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2037,642 Kč188,21 Kč
25 - 4535,766 Kč178,83 Kč
50 - 12032,208 Kč161,04 Kč
125 - 24529,048 Kč145,24 Kč
250 +27,516 Kč137,58 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-8981
Výrobní číslo:
STGF6NC60HD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

7A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

56W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

16.4mm

Délka

10.4mm

Řada

Powermesh

Normy/schválení

JEDEC JESD97

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy