STMicroelectronics IGBT STGF6NC60HD Typ N-kanálový 7 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

183,77 Kč

(bez DPH)

222,36 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2036,754 Kč183,77 Kč
25 - 4534,926 Kč174,63 Kč
50 - 12031,418 Kč157,09 Kč
125 - 24528,356 Kč141,78 Kč
250 +26,874 Kč134,37 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-8981
Výrobní číslo:
STGF6NC60HD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

7A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

56W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

10.4mm

Výška

16.4mm

Šířka

4.6 mm

Řada

Powermesh

Normy/schválení

JEDEC JESD97

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed