STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 29 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 498,05 Kč

(bez DPH)

1 812,65 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • 50 jednotka(y) budou odesílané od 13. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 5029,961 Kč1 498,05 Kč
100 - 20029,181 Kč1 459,05 Kč
250 +28,464 Kč1 423,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-8877
Výrobní číslo:
STGF10NB60SD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

29A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

80W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

3.8μs

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.75V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

Low Drop

Normy/schválení

RoHS

Délka

30.6mm

Výška

10.4mm

Šířka

4.6 mm

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

8mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed