STMicroelectronics IGBT STGF10NB60SD Typ N-kanálový 29 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

318,14 Kč

(bez DPH)

384,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 13. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4031,814 Kč318,14 Kč
50 - 9030,949 Kč309,49 Kč
100 - 24030,134 Kč301,34 Kč
250 - 49029,368 Kč293,68 Kč
500 +28,627 Kč286,27 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2873
Výrobní číslo:
STGF10NB60SD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

29A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

80W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

3.8μs

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.75V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

4.6 mm

Řada

Low Drop

Délka

30.6mm

Normy/schválení

RoHS

Výška

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

8mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy