IGBT STGF10NB60SD N-kanálový 23 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

318,14 Kč

(bez DPH)

384,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 22. ledna 2026
  • Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 13. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4031,814 Kč318,14 Kč
50 - 9030,949 Kč309,49 Kč
100 - 24030,134 Kč301,34 Kč
250 - 49029,368 Kč293,68 Kč
500 +28,627 Kč286,27 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2873
Výrobní číslo:
STGF10NB60SD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

23 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

25 W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

10.4 x 4.6 x 20mm

Jmenovitá energie

8mJ

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Kapacitance hradla

610pF

Minimální provozní teplota

-55 °C

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy