IGBT STGW30NC60KD N-kanálový 60 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

800,03 Kč

(bez DPH)

968,035 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 5 jednotka(y) budou odesílané od 23. ledna 2026
  • Plus 355 jednotka(y) budou odesílané od 29. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 5160,006 Kč800,03 Kč
10 - 95135,998 Kč679,99 Kč
100 - 495108,778 Kč543,89 Kč
500 - 99596,824 Kč484,12 Kč
1000 +81,758 Kč408,79 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2905
Výrobní číslo:
STGW30NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

60 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

200 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

15.75 x 5.15 x 24.45mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Kapacitance hradla

2170pF

Minimální provozní teplota

-55 °C

Jmenovitá energie

1435mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy