STMicroelectronics IGBT STGW30NC60KD Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

800,03 Kč

(bez DPH)

968,035 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 355 jednotka(y) budou odesílané od 01. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 5160,006 Kč800,03 Kč
10 - 95135,998 Kč679,99 Kč
100 - 495108,778 Kč543,89 Kč
500 - 99596,824 Kč484,12 Kč
1000 +81,758 Kč408,79 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2905
Výrobní číslo:
STGW30NC60KD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

29ns

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.7V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

JEDEC Standard JESD97

Řada

Rugged

Výška

20.15mm

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

1435mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy