STMicroelectronics IGBT STGW20NC60VD Typ N-kanálový 54 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

84,97 Kč

(bez DPH)

102,81 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 41 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 61 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 372 jednotka(y) budou odesílané od 04. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 984,97 Kč
10 - 9979,53 Kč
100 - 49977,06 Kč
500 - 99975,09 Kč
1000 +73,11 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
686-8354
Výrobní číslo:
STGW20NC60VD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

54A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

167W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

70ns

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.7V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

20.15mm

Délka

15.75mm

Šířka

5.15 mm

Normy/schválení

JEDEC

Řada

SMPS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed