STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 54 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns
- Skladové číslo RS:
- 168-6464
- Výrobní číslo:
- STGW20NC60VD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
1 449,39 Kč
(bez DPH)
1 753,77 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 360 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 48,313 Kč | 1 449,39 Kč |
| 90 - 480 | 45,069 Kč | 1 352,07 Kč |
| 510 - 960 | 43,917 Kč | 1 317,51 Kč |
| 990 + | 42,846 Kč | 1 285,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-6464
- Výrobní číslo:
- STGW20NC60VD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 54A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 70ns | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.7V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Výška | 20.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Řada | SMPS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 54A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 70ns | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.7V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Výška 20.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Řada SMPS | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGW20NC60VD Typ N-kanálový 54 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns
- STMicroelectronics IGBT STGW30NC60KD Typ N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 85 A 1600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 331 ns
- IXYS XPT IGBT Typ N-kanálový 78 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns
- IXYS XPT IGBT IXA45IF1200HB Typ N-kanálový 78 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový