STMicroelectronics IGBT STGW40H60DLFB Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 792-5791
- Výrobní číslo:
- STGW40H60DLFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
228,23 Kč
(bez DPH)
276,158 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 114,115 Kč | 228,23 Kč |
| 10 - 18 | 107,32 Kč | 214,64 Kč |
| 20 - 48 | 101,515 Kč | 203,03 Kč |
| 50 - 98 | 96,085 Kč | 192,17 Kč |
| 100 + | 91,39 Kč | 182,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5791
- Výrobní číslo:
- STGW40H60DLFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 283W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Řada | H | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 5.15 mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 283W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Řada H | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 5.15 mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGW20H60DF Typ N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 120 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 54 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 70 ns
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz