IGBT STGW40H60DLFB N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Bulk discount available

Subtotal (1 tube of 30 kusech)*

2 363,04 Kč

(exc. VAT)

2 859,27 Kč

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 10. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Units
Per unit
Per Tube*
30 - 27078,768 Kč2 363,04 Kč
300 +76,801 Kč2 304,03 Kč

*price indicative

RS Stock No.:
168-7093
Mfr. Part No.:
STGW40H60DLFB
Brand:
STMicroelectronics
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

80 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

283 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Related links