STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 385,38 Kč

(bez DPH)

4 096,32 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +112,846 Kč3 385,38 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
920-6320
Výrobní číslo:
STGW80V60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

120A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

20.15mm

Délka

15.75mm

Řada

Trench Gate Field Stop

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy