IGBT STGW80V60DF N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 614,85 Kč

(bez DPH)

4 373,97 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 390 jednotka(y) budou odesílané od 05. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +120,495 Kč3 614,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
920-6320
Výrobní číslo:
STGW80V60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

120 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

469 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy