STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 815,21 Kč

(bez DPH)

2 196,39 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 26. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3060,507 Kč1 815,21 Kč
60 - 12058,992 Kč1 769,76 Kč
150 +57,485 Kč1 724,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-7004
Výrobní číslo:
STGW40V60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

283W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

V

Délka

15.75mm

Výška

20.15mm

Normy/schválení

Lead free package

Šířka

5.15 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy