STMicroelectronics IGBT STGW60V60F Typ N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

521,66 Kč

(bez DPH)

631,21 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 26. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 5104,332 Kč521,66 Kč
10 - 2087,932 Kč439,66 Kč
25 +83,042 Kč415,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
791-7655
Výrobní číslo:
STGW60V60F
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

14.8mm

Normy/schválení

ECOPACK

Řada

V

Výška

20.15mm

Šířka

15.75 mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy