IGBT STGYA50H120DF2 50 A 1200 V, Dlouhé svody Max247 1
- Skladové číslo RS:
- 244-3195
- Výrobní číslo:
- STGYA50H120DF2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
159,32 Kč
(bez DPH)
192,78 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 290 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 159,32 Kč |
| 2 + | 151,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-3195
- Výrobní číslo:
- STGYA50H120DF2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 50 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 1200 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Maximální ztrátový výkon | 535 W | |
| Konfigurace | Řada | |
| Typ balení | Dlouhé svody Max247 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 50 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Maximální ztrátový výkon 535 W | ||
Konfigurace Řada | ||
Typ balení Dlouhé svody Max247 | ||
STMicroelectronics IGBT vyvinutý pomocí Advanced proprietární příkop brány pole stop strukturu. Toto zařízení je součástí řady IGBT H, které představují optimální kompromis mezi ztrátami vedení a spínání, aby se maximalizovala účinnost vysokofrekvenčních měničů. Navíc mírně kladný teplotní koeficient VCE (SAT) a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelního provozu.
Maximální teplota spoje TJ = 175 °C.
5 μs doby odolnosti proti zkratu
Nízká VCE (SAT) = 2.1 v (typ.) PŘI IC = 50 A
Velmi přesné rozložení parametrů
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Nízký tepelný odpor
Velmi rychlá obnova antiparalelní dioda
5 μs doby odolnosti proti zkratu
Nízká VCE (SAT) = 2.1 v (typ.) PŘI IC = 50 A
Velmi přesné rozložení parametrů
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Nízký tepelný odpor
Velmi rychlá obnova antiparalelní dioda
Související odkazy
- IGBT STGYA50H120DF2 50 A 1200 V, Dlouhé svody Max247 1
- IGBT STGYA50M120DF3 100 A 1200 V, Max247 1
- IGBT STGYA75H120DF2 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- IGBT FP50R12N2T7PBPSA1 50 A 1200 V
- IGBT FS50R12N2T7B15BPSA2 50 A 1200 V
- IGBT FP50R12N2T7PB11BPSA1 50 A 1200 V
- IGBT RGS50TSX2GC11 50 A 1200 V počet kolíků: 3 1
- IGBT RGS50TSX2DGC11 50 A 1200 V počet kolíků: 3 1
