IGBT STGD5NB120SZT4 N-kanálový 10 A 1200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

192,06 Kč

(bez DPH)

232,395 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 6 920 jednotka(y) budou odesílané od 29. prosince 2025
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2038,412 Kč192,06 Kč
25 - 4536,492 Kč182,46 Kč
50 - 12032,88 Kč164,40 Kč
125 - 24529,578 Kč147,89 Kč
250 +28,04 Kč140,20 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2879
Výrobní číslo:
STGD5NB120SZT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

10 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

75 W

Typ balení

DPAK (TO-252)

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Jmenovitá energie

12.68mJ

Minimální provozní teplota

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Kapacitance hradla

430pF

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy