STMicroelectronics IGBT STGD5NB120SZT4 Typ N-kanálový 5 A 1200 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

192,06 Kč

(bez DPH)

232,395 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • Plus 6 890 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2038,412 Kč192,06 Kč
25 - 4536,492 Kč182,46 Kč
50 - 12032,88 Kč164,40 Kč
125 - 24529,578 Kč147,89 Kč
250 +28,04 Kč140,20 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
877-2879
Výrobní číslo:
STGD5NB120SZT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

5A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

75W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

690ns

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.2mm

Řada

H

Normy/schválení

JEDEC JESD97, ECOPACK

Výška

2.2mm

Šířka

6.4 mm

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

12.68mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy