STMicroelectronics IGBT STGD5NB120SZT4 N-kanálový 5 A 1200 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns
- Skladové číslo RS:
- 877-2879
- Výrobní číslo:
- STGD5NB120SZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
287,51 Kč
(bez DPH)
347,885 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 57,502 Kč | 287,51 Kč |
| 50 - 245 | 50,636 Kč | 253,18 Kč |
| 250 - 495 | 45,152 Kč | 225,76 Kč |
| 500 + | 38,828 Kč | 194,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-2879
- Výrobní číslo:
- STGD5NB120SZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 5A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 690ns | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.2mm | |
| Výška | 2.2mm | |
| Řada | H | |
| Šířka | 6.4mm | |
| Normy/schválení | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Jmenovitá energie | 12.68mJ | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 5A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 690ns | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.2mm | ||
Výška 2.2mm | ||
Řada H | ||
Šířka 6.4mm | ||
Normy/schválení JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Jmenovitá energie 12.68mJ | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 5 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns
- STMicroelectronics IGBT STGB3NC120HDT4 Typ N-kanálový 14 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 15 ns
- STMicroelectronics IGBT 1200 V, počet kolíků: 3 kolíkový 5 μs
- STMicroelectronics IGBT STGYA50H120DF2 1200 V, počet kolíků: 3 kolíkový 5 μs
- STMicroelectronics IGBT 50 A 1200 V, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGYA50M120DF3 50 A 1200 V, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 1200 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 300 ns
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 66 ns