STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGD18N40LZT4 Typ N-kanálový 30 A 390 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 795-9019
- Výrobní číslo:
- STGD18N40LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
226,75 Kč
(bez DPH)
274,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 460 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 45,35 Kč | 226,75 Kč |
| 25 - 45 | 43,028 Kč | 215,14 Kč |
| 50 - 120 | 38,73 Kč | 193,65 Kč |
| 125 - 245 | 34,778 Kč | 173,89 Kč |
| 250 + | 33,098 Kč | 165,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 795-9019
- Výrobní číslo:
- STGD18N40LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 390V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | 16 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.7V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Řada | STGD18N40LZ | |
| Normy/schválení | AEC Q101 | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Jmenovitá energie | 180mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 390V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO 16 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.7V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Řada STGD18N40LZ | ||
Normy/schválení AEC Q101 | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Jmenovitá energie 180mJ | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8.4 μs
- Fairchild Semiconductor TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Fairchild Semiconductor TO-263, počet kolíků: 3
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics ECOPACK, počet kolíků: