STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGD18N40LZT4 Typ N-kanálový 30 A 390 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*

161,54 Kč

(bez DPH)

195,465 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 470 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za pásku*
5 - 2032,308 Kč161,54 Kč
25 - 4530,628 Kč153,14 Kč
50 - 12027,566 Kč137,83 Kč
125 - 24524,798 Kč123,99 Kč
250 +23,614 Kč118,07 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-9019
Výrobní číslo:
STGD18N40LZT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

390V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.7V

Maximální napětí brány VGEO

16 V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

STGD18N40LZ

Normy/schválení

AEC Q101

Délka

6.6mm

Výška

2.4mm

Jmenovitá energie

180mJ

Automobilový standard

AEC-Q101

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy