STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGD20N45LZAG Typ N-kanálový 25 A 450 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 164-7025
- Výrobní číslo:
- STGD20N45LZAG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
217,85 Kč
(bez DPH)
263,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 43,57 Kč | 217,85 Kč |
| 25 - 45 | 41,398 Kč | 206,99 Kč |
| 50 - 120 | 37,248 Kč | 186,24 Kč |
| 125 - 245 | 33,494 Kč | 167,47 Kč |
| 250 + | 31,814 Kč | 159,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 164-7025
- Výrobní číslo:
- STGD20N45LZAG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 25A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 450V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 8.4μs | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 16 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.55V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Řada | Automotive Grade | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Délka | 6.6mm | |
| Jmenovitá energie | 300mJ | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 25A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 450V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 8.4μs | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 16 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.55V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Řada Automotive Grade | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Délka 6.6mm | ||
Jmenovitá energie 300mJ | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tyto IGBT pro konkrétní aplikace využívají pokročilou technologii PowerMESH™ optimalizovanou pro buzení cívky v náročném prostředí automobilových zapalovacích systémů. Tato zařízení nabízí možnost velmi malého napětí v zapnutém stavu a odolnost proti velmi vysoké energie SCIS v širokém rozsahu provozních teplot. Navíc vstup hradla logické úrovně s ESD ochranou a integrovaný rezistor hradla znamenají, že nejsou nutné žádné externí ochranné obvody.
Energie SCIS 300 mJ při TJ = 25 °C
Díly jsou 100% testovány v podmínkách SCIS
Ochrana hradla-emitoru před ESD
Sevření hradla-kolektoru při vysokém napětí
Budič hradla logické úrovně
Velmi nízké saturační napětí
Vysoká odolnost proti pulznímu proudu
Rezistor hradla a hradla-emitoru
Související odkazy
- STMicroelectronics TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8.4 μs
- STMicroelectronics TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8.4 μs
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics ECOPACK, počet kolíků: