onsemi, standard: AEC-Q101 Zapalovací IGBT ISL9V3040D3ST Typ N-kanálový 21 A 430 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

277,23 Kč

(bez DPH)

335,45 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 23. března 2026
  • Plus 1 705 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4555,446 Kč277,23 Kč
50 - 9547,794 Kč238,97 Kč
100 - 49541,474 Kč207,37 Kč
500 - 99536,428 Kč182,14 Kč
1000 +33,156 Kč165,78 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
807-8758
Výrobní číslo:
ISL9V3040D3ST
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

21A

Typ produktu

Zapalovací IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

430V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±10 V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

EcoSPARK

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Jmenovitá energie

300mJ

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy