onsemi, standard: AEC-Q101 Zapalovací IGBT ISL9V3040D3ST Typ N-kanálový 21 A 430 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 807-8758
- Výrobní číslo:
- ISL9V3040D3ST
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
340,37 Kč
(bez DPH)
411,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 685 jednotka(y) budou odesílané od 18. června 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 68,074 Kč | 340,37 Kč |
| 50 - 95 | 58,638 Kč | 293,19 Kč |
| 100 - 495 | 50,882 Kč | 254,41 Kč |
| 500 - 995 | 44,708 Kč | 223,54 Kč |
| 1000 + | 40,706 Kč | 203,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 807-8758
- Výrobní číslo:
- ISL9V3040D3ST
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | Zapalovací IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 21A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 430V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±10 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | EcoSPARK | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Jmenovitá energie | 300mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu Zapalovací IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 21A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 430V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO ±10 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada EcoSPARK | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Jmenovitá energie 300mJ | ||
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- onsemi IGBT Typ N-kanálový 10 A 430 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- onsemi IGBT ISL9V2040D3ST Typ N-kanálový 10 A 430 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- onsemi TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- IGBT FGB3040CS N-kanálový 21 A 430 V počet kolíků: 6 Jednoduchý
- Fairchild Semiconductor JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Fairchild Semiconductor TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch