Fairchild Semiconductor, standard: AEC-Q101 IGBT Typ N-kanálový 21 A 430 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 862-9359P
- Výrobní číslo:
- ISL9V3040P3
- Výrobce:
- Fairchild Semiconductor
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
593,78 Kč
(bez DPH)
718,47 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 1 075 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 95 | 59,378 Kč |
| 100 - 495 | 48,758 Kč |
| 500 - 995 | 41,052 Kč |
| 1000 + | 36,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 862-9359P
- Výrobní číslo:
- ISL9V3040P3
- Výrobce:
- Fairchild Semiconductor
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Fairchild Semiconductor | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 21A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 430V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 15μs | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±10 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | EcoSPARK | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Jmenovitá energie | 300mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Fairchild Semiconductor | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 21A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 430V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 15μs | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±10 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada EcoSPARK | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Jmenovitá energie 300mJ | ||
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.