Fairchild Semiconductor, standard: AEC-Q101 IGBT ISL9V3040P3 Typ N-kanálový 21 A 430 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

368,64 Kč

(bez DPH)

446,055 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Výroba končí
  • 20 zbývá, připraveno k odeslání
  • Plus 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 1 075 jednotka(y) budou odesílané od 25. února 2026
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 573,728 Kč368,64 Kč
10 - 9559,378 Kč296,89 Kč
100 - 49548,758 Kč243,79 Kč
500 - 99541,052 Kč205,26 Kč
1000 +36,16 Kč180,80 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
862-9359
Výrobní číslo:
ISL9V3040P3
Výrobce:
Fairchild Semiconductor
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Fairchild Semiconductor

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

21A

Maximální napětí kolektoru Vceo

430V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

15μs

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±10 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

EcoSPARK

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Jmenovitá energie

300mJ

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy